COMPUTING
Η SAMSUNG ΚΥΚΛΟΦΟΡΕΙ ΤΑ ΠΡΩΤΑ RDIMMS ΤΩΝ 128GB ΓΙΑ SERVERS
Περιεχόμενα
0

Η SAMSUNG ΚΥΚΛΟΦΟΡΕΙ ΤΑ ΠΡΩΤΑ RDIMMS ΤΩΝ 128GB ΓΙΑ SERVERS

από Ηλίας Τσιλιβίγκος28 Νοεμβρίου 2015

Άλλη μια πρωτοπορία για την πανταχού παρούσα Samsung, η οποία αυτή τη φορά ανοίγει το δρόμο για μνήμες τεραστίας χωρητικότητας

Τον τελευταίο καιρό έχουμε βαρεθεί να γράφουμε για πρωτοπορίες, νέες συσκευές και νέες τεχνολογίες της Samsung. Κι όμως, έχουμε άλλη μια! Οι μηχανικοί της Κορεάτικης εταιρίας κατάφεραν και έβαλαν σε μαζική παραγωγή τις πρώτες μνήμες DDR4 με χωρητικότητα ανά DIMM 128GB. Ναι, καλά διαβάσατε, 128 ΓΙΓΑ-byte.

Η πρωτοπορία των νέων μνημών είναι στο ότι, μέσα σε κάθε τσιπ που βρίσκεται πάνω στο DIMM – την μικρή πλακέτα που αποτελεί τη μνήμη – δεν βρίσκεται ένα μόνο μικροσκοπικό πλακίδιο πυριτίου, αλλά τέσσερα dies των 8Gb (gigabit) έκαστο, κατασκευασμένα σε λιθογραφία 20 νανομέτρων, συνδεδεμένα κάθετα μέσω της τεχνολογίας TSV (Through Silicon Via), για συνολική χωρητικότητα 32Gb ανά τσιπ.
Οι μνήμες, βέβαια, είναι για servers, οπότε δε μιλάμε για κανονικά DIMMs όπως αυτά που βρίσκουμε στα απλά PC, αλλά RDIMMs (Registered DIMMs) τα οποία κατασκευάζονται με 36 τέτοια τσιπ των 32Gb για συνολική χωρητικότητα 128GB μνήμης. Αν κάνατε τον πολλαπλασιασμό και σας βγαίνει 144, δεν έχετε κάνει λάθος. Οι (περισσότερες) μνήμες Registered χρησιμοποιούν ένα επιπλέον τσιπ μνήμης ανά οκτάδα για την αποθήκευση των δεδομένων ECC (Error Correcting Code ή κώδικας διόρθωσης λαθών). Είπαμε, οι μνήμες είναι για servers και σε τέτοιες εφαρμογές δεν υπάρχουν πολλά περιθώρια για σφάλματα.

Η Samsung αναφέρει πως η τεχνολογία TSV βελτιώνει σημαντικά τη μετάδοση των σημάτων. Εκεί που τα συμβατικώς συσκευασμένα τσιπ συνδέουν τα dies της στοίβας με πολύ λεπτά σύρματα, με την τεχνολογία TSV το κάθε die τρίβεται (προφανώς με ειδικά εργαλεία) μέχρι να φτάσει σε πάχος μερικές δεκάδες μικρόμετρα και έπειτα του ανοίγονται εκατοντάδες τρύπες μέσω των οποίων τα dies συνδέονται με ηλεκτρόδια, αφού τοποθετηθούν σε στοίβα. Αυτή η διάταξη επιτυγχάνει σημαντική ώθηση στη μετάδοση των σημάτων.

Η «παλιά» μέθοδος σύνδεσης των dies με υπέρλεπτα σύρματα

Η νέα μέθοδος σύνδεσης των dies με τρύπες σε κατακόρυφη διάταξη

Εκτός από την χωρητικότητα και τη συνδεσμολογία TSV, τα τσιπ της Samsung χαρακτηρίζονται και από μια ακόμη πρωτοτυπία. Οι μνήμες Registered απαιτούν και τη χρήση ενός buffer για τη βελτίωση της ποιότητας των σημάτων μεταξύ των μνημών και του επεξεργαστή, ο οποίος buffer βρίσκεται σε κάθε DIMM ως ξεχωριστό τσιπ.
Τα τσιπ μνήμης της Samsung, όμως, έχουν ενσωματώσει τον buffer στο πρώτο die (από τα τέσσερα που υπάρχουν) σε κάθε τσιπ, οπότε επιτυγχάνουν και μείωση της καταναλωσης, αύξηση των επιδόσεων αλλά και μείωση του απαιτούμενου χώρου στο DIMM.

Βέβαια, να σημειώσουμε πως και η SK Hynix, εταιρία που ασχολείται αποκλειστικά με μνήμες, είχε επιδείξει ένα δικό της RDIMM των 128GB με μνήμες τεχνολογίας TSV σχεδόν πριν δύο χρόνια, αλλά η Samsung είναι η πρώτη που θέτει κάτι τέτοιο σε μαζική παραγωγή.

Η κυκλοφορία αυτή είναι απάντηση στην αυξανόμενη ζήτηση της αγοράς και σε αυτό το πλαίσιο σκοπεύει να κυκλοφορήσει μια πλήρη σειρά από μνήμες DRAM με τεχνολογία TSV εντός των προσεχών εβδομάδων, μεταξύ αυτών και Load-Reduced DIMMs των 128GB.

Αφήστε μια απάντηση